图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:1840 |
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最小起订量:20 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1820 |
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最小起订量:20 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:3580 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 BSO613SPV G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.44A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 130 mOhm @ 3.44A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 30nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 875pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| P（ TOT ） | 2.5W |
| 匹配代码 | BSO613SPV G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 30K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | PG-DSO-8 |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 1 |
| Q（克） | 0.13nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | -3,44A |
| V（ DS ） | -60V |
| 技术 | SIPMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.13Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.44A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 130 mOhm @ 3.44A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 875pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSO613SPV GCT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 3.44 A |
| 系列 | BSO613 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 130 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | DSO-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 零件号别名 | BSO613SPVGHUMA1 SP000216309 |
| 上升时间 | 11 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 12 ns |
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